СОДЕРЖАНИЕ
Раздел 1. Электрофизические свойства полупроводников.. 3
Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники. 3
Лекция 2. Примесная проводимость. 8
Лекция 3.
Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда 11Раздел 2. Контактные явления в полупроводниках.. 14
Лекция 4. Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения. 14
Лекция 5. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения. 17
Раздел 3. Полупроводниковые диоды... 24
Лекция 6. Назначение и классификация. Общие параметры диодов. 24
Лекция 7. Выпрямительные диоды.. 26
Лекция 8. Полупроводниковые стабилитроны. Универсальные диоды.. 32
Лекция 9. Импульсные диоды. Варикапы.. 36
Лекция 10. Сверхвысокочастотные диоды.. 41
Лекция 11. Туннельные и обращенные диоды.. 47
Раздел 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ... 51
Лекция 12. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры.. 51
Лекция 13. Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора. 57
Лекция 14. Схема замещения биполярного транзистора в физических параметрах. 63
Лекция 15. Биполярный транзистор как активный четырехполюсник. h-параметры транзистора 66
Раздел 5. УНИПОЛЯРНЫЕ (ПОЛЕВЫЕ) ТРАНЗИСТОРЫ... 68
Лекция 16. Транзисторы с управляемым р-п-переходом.. 68
Лекция 17. МДП-транзисторы.. 73
Раздел 6. ТИРИСТОРЫ... 76
Лекция 18. Устройство и принцип работы динистора, тиристора, симистора и фототиристора 76
Лекция 19. Компоненты микроэлектроники. 84