>>

СОДЕРЖАНИЕ

Раздел 1. Электрофизические свойства полупроводников.. 3

Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники. 3

Лекция 2. Примесная проводимость. 8

Лекция 3.

Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда 11

Раздел 2. Контактные явления в полупроводниках.. 14

Лекция 4. Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения. 14

Лекция 5. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения. 17

Раздел 3. Полупроводниковые диоды... 24

Лекция 6. Назначение и классификация. Общие параметры диодов. 24

Лекция 7. Выпрямительные диоды.. 26

Лекция 8. Полупроводниковые стабилитроны. Универсальные диоды.. 32

Лекция 9. Импульсные диоды. Варикапы.. 36

Лекция 10. Сверхвысокочастотные диоды.. 41

Лекция 11. Туннельные и обращенные диоды.. 47

Раздел 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ... 51

Лекция 12. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры.. 51

Лекция 13. Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора. 57

Лекция 14. Схема замещения биполярного транзистора в физических параметрах. 63

Лекция 15. Биполярный транзистор как активный четырехполюсник. h-параметры транзистора 66

Раздел 5. УНИПОЛЯРНЫЕ (ПОЛЕВЫЕ) ТРАНЗИСТОРЫ... 68

Лекция 16. Транзисторы с управляемым р-п-переходом.. 68

Лекция 17. МДП-транзисторы.. 73

Раздел 6. ТИРИСТОРЫ... 76

Лекция 18. Устройство и принцип работы динистора, тиристора, симистора и фототиристора 76

Лекция 19. Компоненты микроэлектроники. 84

| >>
Источник: Руденкова В.И.. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ. Лекция. 2006

Еще по теме СОДЕРЖАНИЕ: